台积电的3nm成品率存在问题

　　台积电的3nm成品率存在问题

　　此前有消息称，台积电将在2022年下半年量产N3工艺节点，并计划推出名为N3E的增强型3nm工艺，具有更好的性能和功耗，2023年下半年量产另外，也可能会推出不同成本和设计的N3B等方案。去年底，台积电已经开始在 Fab 18 试产 3nm 芯片。

　　据DigiTimes报道，台积电的N3制程节点计划并没有顺利推进，一直在不断修改。但良品率等整体性能的提升进度仍低于预期，甚至部分部位出现困难，需要重新安排。因此，近期苹果等多家客户基于N5工艺节点及其衍生工艺下单，扩大了N4、N4P、N4X等工艺的使用范围。台积电的 N3 工艺节点专为智能手机和高性能计算 (HPC) 芯片而设计。在N5工艺节点上进一步应用极紫外光刻(EUV)技术，掩模层数将超过20层。与N5工艺相比，台积电承诺N3工艺性能可提升10%-15%，或功耗可降低25%-30%。

　　台积电表示，N3工艺节点仍采用FinFET晶体管结构，为客户提供最佳的技术成熟度、性能和成本。台积电3nm制程技术推出后，将成为业界最先进的PPA和晶体管技术，N3制程节点将成为台积电又一个量产耐用的制程节点。早有传言称，英特尔和苹果已经率先获得台积电N3工艺节点的产能。英特尔计划在 2023 年发布的 Meteor Lake 上使用该工艺来制造 GPU 模块;苹果将​​在 2023 年首次用在新 iPad 上的芯片上，目前在时间上非常勉强。