三星 HBM3E 芯片未通过 NVIDIA 的热测试，延迟迫在眉睫

　　去年 7 月、8 月中旬和 10 月初，美光、SK 海力士和三星先后向 NVIDIA 提供了 8 层垂直堆叠的 HBM3E (24GB) 样品。其中，美光和SK海力士的HBM3E今年年初通过了NVIDIA的验证，并获得了订单。然而，三星的HBM3E尚未通过NVIDIA的测试，需要进一步验证，据报道是由于台积电的审批程序。

　　据路透社报道，三星的HBM3E芯片在NVIDIA的验证测试中遇到了重大问题，过热是一个主要问题。据了解，三星从去年开始就一直在向英伟达提供HBM3和HBM3E进行验证，但尚未通过，这表明这些问题已经持续了至少六个月。

　　业内人士透露，三星提供的8层和12层堆叠HBM3E芯片都存在问题，导致英伟达暂时只向SK海力士或美光下单。SK海力士早在2022年6月就开始向英伟达供应H100的HBM3，并于2024年3月开始供应HBM3E。

　　目前尚不清楚三星的 HBM3 和 HBM3E 芯片是否存在生产问题、封装相关问题或其他问题。与SK海力士和美光相比，三星的开发时间更短，显得有些匆忙。此前的报道显示，三星的HBM3E制造工艺略有不同，受到基于SK海力士测试标准的台积电标准的影响。

　　作为回应，三星正式表示，这些问题与基于客户要求的定制产品有关，并否认了过热的说法，声称测试正在按计划进行。