三星将于今年6月推出SF3和SF4X工艺

　　为了大力提升代工业务的新高度并与台积电展开激烈竞争，三星正准备推出其 SF3 和 SF4X 工艺。根据官方公告，这些技术将在定于 2023 年 6 月 11 日至 16 日在日本京都举行的 VLSI 技术和电路研讨会上介绍。

　　Wccftech的报告暗示三星可能会在今年 6 月正式推出 SF3 和 SF4X 工艺。最近有很多猜测称，AMD 可能会与三星合作开发 4nm 工艺，据称两者之间已经签署了一份合同。根据该协议，AMD 的部分 4nm 芯片订单将从台积电转移，需要重新设计代号 Phoenix Ryzen 7040 系列，以适应三星的工艺要求。然而，此次合作的确切细节仍然很少，有传言称三星将在下个月透露更多细节。

　　SF3(3GAP)是三星第二代3nm制程工艺，采用“第二代多桥-沟道场效应晶体管(MBCFET)”，在现有SF3E的基础上进一步优化。有趣的是，三星并没有将SF3与目前的3nm GAA进行比较，而是选择了SF4(4LPP，4nm低功耗工艺)，前者在相同功率和晶体管数量下性能提升22%，功耗降低34%相同的频率和复杂度，并将逻辑面积缩小 21%。这表明 SF3 和 3nm GAA 之间的差异可能并不显着。

　　SF4X 代表了三星首个专门为 HPC 应用开发的工艺。与适合移动和笔记本电脑芯片低功耗设计的 SF4 (4LPP) 不同，SF4X 可以实现更高的频率和效率，支持卓越性能所需的升高电压。这标志着三星的第四代 4nm 工艺。与 SF4 相比，SF4X 在相同的功率和晶体管数量下将性能提高 10%，在相同的频率和复杂性下将功耗降低 23%。