三星宣布量产12nm级DDR5 DRAM

　　三星宣布了采用业界最先进的12纳米工艺技术的16Gb DDR5 DRAM开始量产。三星坚称，此次尖端制造技术的完成再次确立了其在先进DRAM技术领域的霸主地位。

　　“三星业界领先的 12 纳米级 DDR5 DRAM 采用差异化工艺技术，可提供出色的性能和能效， ”三星电子 DRAM 产品与技术执行副总裁 Jooyoung Lee 表示。“我们最新的 DRAM 反映了我们对引领 DRAM 市场的持续承诺，不仅通过满足计算市场对大规模处理的需求的高性能和大容量产品，而且还通过商业化支持更高生产力的下一代解决方案。”

　　与其前身相比，三星全新的 12 纳米级 DDR5 DRAM 达到了 7.2 Gbps 的速度，将功耗降低了 23%，同时将晶圆生产率提高了 20%。这种堪称典范的能效使其成为全球 IT 公司的最佳解决方案，致力于降低其服务器和数据中心的能源消耗和碳足迹，从而支持不断增加的应用范围，包括数据中心、人工智能和下一代-创计算。

　　三星在其 12 纳米工艺技术中采用了一种新型高 κ 材料，有助于增加电池容量。这种增加的电容会在数据信号中引起明显的电位差，从而使它们更容易区分。同时努力降低工作电压和减少噪音也有助于三星在提供满足客户需求的解决方案方面的熟练程度。