三星和SK海力士正在加速3D DRAM的商业化进程

　　三星和SK海力士在内存存储领域处于领先地位，分列行业第一和第二。有传言称，这两家巨头都在加速3D DRAM的商业化进程，以改变内存行业的规则。事实上，在DRAM产业中排名第三的美光，从2019年就开始研究3D DRAM，获得的专利数量是三星和SK海力士的两到三倍。

　　根据韩国商业，业内人士透露，三星和SK海力士的高管最近在官方活动中宣传3D DRAM作为克服DRAM物理限制的一种方式。三星表示，3D DRAM是未来半导体产业的增长引擎，而SK海力士则认为，3D DRAM的电气细节将于明年左右公开，从而决定其发展方向。

　　3D DRAM是一种全新结构的存储芯片，打破了原有的格局。目前，DRAM产品开发的重点是通过减小电路线宽来提高密度。然而，随着线宽进入 10nm 范围，电容泄漏和干扰等物理限制显着增加。为此，业界引进了高k材料、极紫外(EUV)器件等新材料和设备。然而，对于各个DRAM厂商来说，制造10nm甚至更先进的小芯片仍然是一个巨大的挑战。

　　与目前的DRAM市场不同，目前3D DRAM领域还没有绝对的龙头。美光在3D DRAM技术竞争中起步较早，专利较多。三星和SK海力士或将加快3D DRAM的商业化进程，尽快进入规模化生产，早日抢占市场。

　　目前，三星和SK海力士能够量产的最先进的DRAM采用的是12nm左右的制程工艺。考虑到越来越接近10nm，新结构DRAM芯片的商用化在未来三四年内几乎是必然，而不是选择。