台积电开发2nm制程，满足Apple和Nvidia需求

　　去年，台积电总裁魏哲家证实，2nm 工艺节点将如预期那样采用环栅场效应晶体管 (GAAFET) 晶体管。制造工艺继续依赖现有的极紫外 (EUV) 光刻技术，风险生产的准备工作预计将在 2024 年底完成，并在 2025 年底推进量产。因此，客户将收到首批产品2026 年通过 N2 工艺制造的芯片数量。

　　据UDN报道，台积电毫无保留地投入，已经启动了2nm芯片试产的准备工作。该驱动器有两个方面：保持对三星和英特尔的领先地位，并满足苹果和英伟达规定的制造要求。

　　爆料人透露，台积电已派工程师及支援人员前往其位于台湾新竹科学园区的研发工厂，为2nm试产做准备。今年，台积电将建立一条以千片晶圆制造为目标的小规模产线，为2024年试产打下基础。若一切顺利，台积电将扩建新厂的产线。鉴于首次在 N2 工艺中引入新型 GAA 晶体管，不可预见情况的可能性需要提前开始生产。

　　随着市场环境的转变，客户竞争比以往任何时候都更加激烈。台积电的主要合作伙伴正在积极投资定制解决方案，以确保无缝生产和卓越的芯片性能。台积电进一步将人工智能融入其制造过程，以提高效率和节约能源，从而减少碳排放。此外，台积电为2nm制程节点准备了N2P和N2X制程，以迎合多样化的芯片制造需求。