英特尔推出全新堆叠式 CFET 晶体管架构

　　在最近于比利时安特卫普举行的 ITF World 2023 期间，英特尔技术开发总经理 Ann Kelleher 概述了英特尔在几个关键领域的最新进展，其中之一就是英特尔将在 2023 年采用的堆叠式 CFET 晶体管架构未来。这是英特尔首次公开介绍这种创新的晶体管设计，但没有透露具体的量产日期或时间表。

　　在 2021 年英特尔加速创新：工艺和封装技术在线活动中，英特尔确认，在其英特尔 20A 工艺中，将引入采用 Gate All Around (GAA) 概念设计的 RibbonFET 晶体管架构，取代 2011 年推出的 FinFET 晶体管架构. 这种前卫的技术提高了晶体管的开关速度，同时实现了与多鳍片结构相同的驱动电流，而且占用的空间更小。根据TomsHardware, Ann Kelleher 宣布 RibbonFET 将于明年亮相。

　　英特尔还推出了堆叠式 CFET 晶体管架构，这是下一代 GAA 设计，允许堆叠八个纳米片，将 RibbonFET 中使用的四个纳米片增加一倍，从而提高晶体管密度。CFET 晶体管将 n 和 pMOS 器件堆叠在一起以实现更高的密度。英特尔目前正在研究两种类型的 CFET，单片式和顺序式，它似乎还没有决定最终采用哪种，或者是否会出现其他设计类型。

　　到大约 2032 年，晶体管将发展到 5 埃，并且 CFET 晶体管架构类型的变化不会出乎意料。此次英特尔只是勾勒出其晶体管技术的大概发展轨迹，并没有透露太多细节。未来应该会发布更具体的信息。