台积电2nm制程节点2025年准时投产

　　去年，台积电总裁 CC Wei 博士证实，N2 工艺节点将如预期那样采用环栅 FET (GAAFET) 晶体管，制造仍依赖于现有的极紫外 (EUV) 光刻技术。预计2024年底完成风险生产准备，2025年底开始量产，2026年客户收到首批2nm芯片。

　　台湾在线出版物MoneyDJ的新报告 (来自 Wccftech) 分享供应链资讯，最新报导显示，台积电将于2025年开始量产2奈米芯片，与其管理层提供的时间表一致。此外，台积电正在准备一种名为 N2P 的新工艺，反映了 3nm 工艺节点的命名约定;N2P代表N2的加强版，反映了生产技术的改进。

　　台积电已将其2nm工艺节点生产设在台湾新竹宝山工厂，该工厂采用了该公司最先进的工艺。此外，第二家工厂Fab 20正在台中地区建设，并将分阶段建设。据了解，N2P工艺将利用背面功率传输(BSPD)技术来提高性能，这是通过硅过孔(TSV)进行的行业扩展，允许将不同的芯片模块堆叠和接合在一起。新工艺将进一步提高芯片的能源效率。

　　尽管台积电的3纳米制程节点即将进入量产，但摩根士丹利预计台积电今年第二季的营收将下滑5%至9%，较之前下滑的4%有所增加。下降归因于智能手机芯片订单减少，而台积电将 2023 年的预期收入从“温和增长”下调至“持平”。