今天 JEDEC 发布了 HBM3 高带宽内存标准,这是对现有 HBM2 和 HBM2e 标准的重大改进。这个新的 HBM 内存标准版本是 JESD238 HBM3,相关技术文档可以从 JEDEC下载。

据 JEDEC 称,HBM3 是一种创新方法,可实现更高带宽、更低功耗和单位面积容量,这对于图形处理和高性能计算服务器等需要高数据处理速率的应用至关重要。新一代HBM3内存的主要属性包括
• 将经过验证的 HBM2 架构扩展到更高的带宽,将 HBM2 一代的每引脚数据速率提高一倍,并定义高达 6.4 Gb/s 的数据速率,相当于每台设备 819 GB/s
• 将独立通道的数量从 8 个(HBM2)增加到 16 个;每个通道有两个伪通道,HBM3 实际上支持 32 个通道
• 支持 4 高、8 高和 12 高 TSV 堆栈,并为将来扩展至 16 高 TSV 堆栈做好准备
• 支持基于每个内存层 8Gb 到 32Gb 的各种密度,设备密度从 4GB(8Gb 4 高)到 64GB(32Gb 16 高);第一代 HBM3 设备预计将基于 16Gb 存储层
• 为了满足市场对高平台级 RAS(可靠性、可用性、可维护性)的需求,HBM3 引入了强大的、基于符号的片上 ECC,以及实时错误报告和透明度
• 通过在主机接口上使用低摆幅 (0.4V) 信号和较低 (1.1V) 工作电压来提高能效
“凭借其增强的性能和可靠性属性,HBM3 将支持需要巨大内存带宽和容量的新应用,”NVIDIA 技术营销总监兼 JEDEC HBM 小组委员会主席 Barry Wagner 说。此外,美光、SK海力士、新思科技等公司的负责人也对HBM3内存标准的发布感到高兴。
去年10月,SK海力士宣布成功开发HBM3内存,成为全球首家开发新一代HBM内存的公司。SK海力士提供两种容量,一种是24GB垂直堆叠,采用12层TSV技术,另一种是16GB,采用8层堆叠,均提供819GB/s带宽。
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