中国有望在NAND闪存行业中扮演举足轻重的角色

　　中国是一个不断增长的存在，在NAND闪存行业，预计在未来的两到三年中发挥供需举足轻重的作用，根据一项新的报告。

　　根据研究机构集邦科技，政府背景的清华UNIGROUP已成为激增中国交易决策在半导体领域，其中国家正在灌装生产能力差距与收购及投资的一个突出的例子。

　　清华计划购买15%的股份，美国数据存储公司西部数据(WD)，一个协议，间接允许来自SanDisk公司的合并与WD进入NAND闪存行业。

　　中国的企业集团还宣布了一项协议，购买台湾芯片封装公司力成的25%。通过成为力成第一大股东，清华UNIGROUP将获得的包装和存储产品的测试关键技术和资源。

　　清华据报道也试图收购美国的美光科技。

　　尽管NAND闪存市场的“薄弱[中]短期内由于供应过剩，经济增长的各种应用已经从长期的角度来看非常迅速，”肖恩·杨，集邦科技的集邦科技事业部助理副总裁，指出在报告中。

　　“NAND闪存一定会成为核心技术在不久的将来，存储和内存产业的发展”，作为消费电子产品，包括固态硬盘(SSD)和嵌入式多媒体卡的数量(eMMCs)的增加，阳虚加。 eMMC的是，在智能手机中使用NAND闪存的密集形式。

　　中国国内DRAM和NAND闪存消费大幅跟涨的中国个人电脑和智能手机的日益流行，根据集邦科技。

　　中国今年将购买$ 12个十亿身价的DRAM和$ 6.67十亿价值NAND闪存，占全球收入这些市场21.6%和29.1%，分别为。

　　今年以来，NAND闪存，可随处可见，从数据中心到智能手机，估计是近$ 28日十亿行业提供了每年两位数的增长速度。

　　智能手机，平板电脑和固态硬盘将占到约85%，行业的整体产能的需求，预计42.8%，今年将增长，根据集邦科技。

　　在中国主要NAND闪存厂商也纷纷扩大业务。例如，世界领先的NAND闪存制造商，三星，取得了在中国市场的显著的投资，包括提高其西安，中国制造工厂，这使得3D NAND闪存芯片的容量。

　　三星预计西安工厂的生产设施，在明年的顶级容量运行。

　　英特尔还将开始生产3D-NAND闪存芯片将于明年下半年在其中国大连晶圆厂，这正从一个处理器工厂转换为内存晶圆厂。

　　另外也增加国内支持NAND闪存技术，包括中国主要的代工厂，如中芯国际和XMC，这是目前国内同业中最积极的。他们各自的技术，产品和战略正在稳步走向成熟。

　　“XMC特别是准备用来在NAND闪存行业，因为它正在开发先进的三维NAND闪存的冲击，在未来两到三年，”集邦科技的报告中指出。

　　三维NAND闪存是堆叠的存储单元1的顶上另一个像一个微观摩天大楼创建致密存储器不仅具有更大的容量，但制造成本更低的方法。今天，所有主要的NAND闪存供应商有他们自己的版本的三维NAND闪存。

　　NAND闪存控制器芯片和固件开发将是关键，为中国存储行业向前发展的组件必须满足的成立，为行业信息安全国家标准。

　　对中国控制芯片厂商的技术能力已经发展到一定的水平与国内市场的腾飞，并迅速获得国际知名度，集邦科技表示。例如，贤者微电子(SageMicro)，四年历史的公司总部设在杭州，中国，计划已经发布了一个10TB的固态硬盘，试图打入美国市场。

　　该公司从安静模式出现，去年已经销售5TB SSD的2.5英寸外形，随着SD卡和NAND快闪存储器控制器。该8TB SSD仅仅增加了一个堆栈的eMMC闪存塞进9.5毫米高的固态硬盘。

　　中国还NAND闪存行业内增加了垂直整合。例如，中国的内存模块制造商网通和美国的Marvell公司，主控芯片的主要供应商，已经写了战略发展伙伴关系。

　　“作为一家无晶圆[集成芯片]设计公司寻求开发中国的SSD市场，Marvell公司将充分利用在苏州网通的完整的生产链，”集邦科技表示。“这种跨产业联盟将加强供应商的不同层次之间的联系，使他们能够专注，最大限度地提高他们的利润。”