美光计划2024年上半年量产32Gb DDR5芯片，打造1TB模组

　　今年早些时候，美光推出了第二代DDR5内存模块，符合DDR5-5200和DDR5-5600标准。除了传统的 8GB、16GB 和 32GB 容量之外，他们还为消费者推出了前所未有的 24GB 和 48GB 选项。这些模块支持XMP 3.0和EXPO技术，并使用1-alpha工艺节点进行大批量生产。这些是市场上首款 24GB 和 48GB 内存模块，凸显了美光在存储领域的强大实力。

　　根据汤姆斯硬件美光为了保持在 DRAM 市场的领先优势，计划在 2024 年上半年量产 32Gb DDR5 芯片，从而为打造大容量 1TB 内存模块奠定基础。虽然美光尚未透露新款 DRAM 芯片的数据传输速率，但考虑到其作为第三代 DDR5 内存模块的地位，其频率预计将进一步提升。

　　32Gb DDR5 芯片将使用美光去年推出的 1-beta 工艺节点制造。这是该公司迄今为止最先进的存储芯片半导体工艺，而且很可能是最后一个不采用极紫外(EUV)光刻技术的工艺。美光科技已向部分智能手机制造商和芯片组合作伙伴提供 DRAM 芯片样品。

　　与业内许多企业不同，美光目前没有计划采用 EUV 光刻技术来生产存储芯片。相反，它继续利用深紫外 (DUV) 光刻技术，在 1-beta 工艺节点上结合其第二代 HKMG 技术。美光声称，这一新工艺节点将能源效率提高了约 15%，位密度提高了 35% 以上。

　　32Gb DDR5芯片最初将部署在数据中心的内存模块中，数据中心对内存容量的需求最为迫切。据了解，美光明年将首先推出128GB DDR5内存模块，随后将推出192GB和256GB产品。尽管尚未公布 512GB 和 1TB DDR5 内存模块的计划，但可能会提前向特定客户提供。