SK海力士量产238层4D NAND闪存

　　SK 海力士宣布他们的238层4D NAND闪存开始量产。目前，该公司正在接受国际智能手机制造客户的产品验证。SK海力士强调，他们基于该技术开发了适用于智能手机和个人电脑的客户端SSD解决方案产品，确保了在成本、性能和质量方面的竞争优势。该公司预计这些进步将改善其今年下半年的财务业绩。

　　早在去年8月，SK海力士就宣布成功研发出业界最高层数的全球首款238层NAND闪存，并向合作伙伴寄送了238层512Gb TLC 4D NAND闪存样品。与 3D 方法相比，SK 海力士的 4D 架构芯片采用 Charge Trap Flash (CTF) 和 Peri。在 Cell (PUC) 技术下，提供更小的单元尺寸和更高的生产效率。

　　238层4D NAND闪存是全球最小的芯片，生产效率较上一代176层技术提升34%，大幅提升成本竞争力。它的数据传输速率为 2.4Gbps，比其前身提高了 50%，芯片的读写性能也提高了约 20%。

　　完成智能手机客户端验证后，SK海力士计划首先向移动设备供应238层NAND闪存，然后将其适用性扩展到基于PCIe 5.0标准的PC平台SSD和数据中心的大容量SSD产品。SK 海力士表示有意继续突破 NAND 闪存技术的界限并增强其竞争优势。