SK海力士现出样12层24GB HBM3内存

　　SK海力士开发业界首个12层HBM3，向客户提供样品

　　• 开发出业界最大24GB内存容量的HBM3产品;客户对样品的性能评估正在进行中

　　• 12颗DRAM芯片堆叠，实现大容量、高性能

　　• 计划2023年上半年完成量产准备，巩固公司在DRAM尖端市场的领导地位

　　SK 海力士公司(或“公司”，www.skhynix.com)今天宣布，它已成为业界第一个开发具有 24 GB 2 内存容量的 12 层 HBM31 产品，目前是业界最大的，并表示客户对样品的性能评估正在进行中。

　　SK海力士表示：“继去年6月全球首款HBM3量产后，公司成功开发出24GB封装产品，内存容量较前代产品增加50%。” “从今年下半年开始，我们将能够向市场提供新产品，以满足由人工智能驱动的聊天机器人行业推动的对高端内存产品不断增长的需求。”

　　SK海力士工程师通过在最新产品中应用先进的大规模回流成型底部填充(MR-MUF)3技术提高了工艺效率和性能稳定性，而硅通孔(TSV) 4 技术将单颗DRAM芯片的厚度减少了40%，实现了与 16GB 产品相同的堆栈高度级别。

　　HBM 于 2013 年由 SK 海力士首次开发，因其在实现在高性能计算 (HPC) 系统中运行的生成 AI 中发挥的关键作用而引起了存储芯片行业的广泛关注。

　　特别是最新的 HBM3 标准被认为是快速处理大量数据的最佳产品，因此全球主要科技公司对它的采用正在增加。

　　SK海力士已经向多家客户提供了其24GB HBM3产品的样品，客户对最新产品表示了极大的期待，同时产品的性能评估正在进行中。

　　SK 海力士封装与测试主管 Sang Hoo Hong 表示：“SK 海力士能够通过其在后端工艺中使用的领先技术，持续开发一系列超高速和大容量 HBM 产品。” “公司计划在今年上半年完成新产品的量产准备，进一步巩固其在AI时代前沿DRAM市场的领导地位。”

　　1: HBM(高带宽内存)：一种高价值、高性能的内存，垂直互连多个 DRAM 芯片，与传统 DRAM 产品相比，可显着提高数据处理速度。HBM3 是第 4代 产品，继承了前几代 HBM、HBM2 和 HBM2E

　　2:此前开发的8层HBM3产品最大内存容量为16GB

　　3: MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) : 将多个芯片放置在下基板上，通过回流焊一次性粘合，然后同时用模塑材料填充芯片之间或芯片与基板之间的空隙的方法。

　　4: TSV(Through Silicon Via)：一种用于先进封装的互连技术，将上下芯片与垂直穿过DRAM芯片上数千个细孔的电极连接起来。集成该技术的 SK 海力士 HBM3 每秒可处理高达 819GB 的数据，这意味着每秒可传输 163 部 FHD(全高清)电影。