英特尔CEO称英特尔18A优于台积电N2工艺

　　英特尔几乎完全将其未来押在快速推进其制造工艺节点上。根据其公布的技术路线图，该计划涉及“在四年内完成五个工艺节点”，这一战略将直接影响英特尔代工服务(IFS)的扩张。英特尔准备将英特尔 18/20A 推向市场，旨在重新夺回其在半导体制造技术领域的领导地位。

　　Fab 34 本月在英特尔 4 之旅中达到了一个重要的里程碑，它开始运行其第一个全环芯片。

　　近日，英特尔CEO帕特·基辛格在接受媒体采访时表示，“英特尔18A在某种程度上优于台积电的N2工艺。这一说法基于英特尔 18A 对 RibbonFET(一种全能栅极晶体管技术)和 PowerVia(一种背面供电技术)的使用。据称，这些创新比竞争对手领先数年，为芯片提供了更高的面积效率，从而降低了成本，改善了功率传输，并提高了性能。此外，Gelsinger 暗示 N2 工艺的成本更高，这表明英特尔 18/20A 可能会吸引寻求更高成本效益的客户的订单。

　　根据英特尔近期的声明，采用英特尔18A工艺制造的芯片预计将于2024年第一季度首次亮相，首批量产产品将于当年下半年上市。相比之下，台积电的 N2 工艺预计要到 2025 年下半年才能实现量产，理论上英特尔领先一年。虽然台积电在其N2制程中引入了GAA架构晶体管，但仍依赖传统的供电技术，在英特尔看来，这与英特尔18A制程的技术实力不相符。

　　然而，台积电不同意这种观点。明年，台积电计划推出N3P工艺，有望提供与Intel 18A相当的能效、性能和晶体管密度。此外，下一代 N2 工艺预计将在所有这些方面超越 N3P 和 Intel 18A。