台积电推出3nm和2nm制程技术

　　近日，台积电召开在日本举行的新闻发布会重点关注制造技术的最新进展，详细阐述了 N3E 工艺节点的进展及其带来的性能增强。此外，台积电还公布了备受期待的下一代制造工艺路线图，预计2纳米工艺将在2025年实现量产。

　　台积电副总经理张凯文博士在会上阐述了公司的前沿技术，表示台积电正在快速发展。仅在 2022 年，该公司就获得了惊人的 54.7 亿美元投资，目前拥有 8,558 名员工，这意味着台积电正在迅速扩充其设施，并投入时间和资源来开发下一代工艺。

　　为了强调前几代工艺的演进，台积电展示了 5nm 工艺及其各个衍生产品的性能增强。除了N5P、N4和N4P工艺之外，台积电还分享了新N4X节点的数据，声称与三年前发布的N6相比，其性能提升了17%，芯片密度提高了5%。

　　台积电重申，3纳米制程已于2022年开始量产，更新后的N3E制程已获得技术认证，预计将于2023年下半年上市。此外，N3P制程作为性能增强版3nm工艺系列的3nm工艺系列，将于2023年下半年投产，相比N3E带来5%的性能提升，功耗降低5-10%，芯片密度提升1.04倍。另一方面，由于自动驾驶等技术创新，汽车行业对尖端逻辑技术和计算能力的需求不断升级。台积电计划在N3E的基础上推出N3AE(Auto Early)，以支持汽车产品的早期开发，从而加速其市场导入。

　　谈到备受期待的2纳米制程，台积电表示，N2在2纳米制程内的技术开发正在有条不紊地进行，预计2025年量产。与N3E相比，台积电的2纳米制程将采用纳米片技术取代FinFET晶体管，这将增强性能提升10-15%，功耗降低25-30%，芯片密度提高1.15倍。