台积电N3E节点进展顺利

　　台积电目前正在 N3 工艺节点上开发多个工艺，包括 N3、N3B 和 N3E。去年，台积电总裁魏浙江表示，N3工艺节点仍采用FinFET晶体管的结构。推出后，将成为业界最先进的PPA和晶体管技术，也将成为台积电又一个大规模量产耐用的工艺节点。

　　据TechPowerup报道，摩根士丹利近期的一份报告显示，在 N3 基础上扩展的 N3E 已经提前准备好，工艺流程可能会在本月底确定。台积电原计划在2022年下半年量产N3工艺节点。作为3nm工艺的简化版，N3E将于2023年下半年量产。由于N3E测试时良率较高量产，台积电希望更早实现商业化，最早可能在2023年第二季度。

　　据了解，N3E在N3的基础上减少EUV掩膜层数，从25层减少到21层，逻辑密度降低8%，但仍比N5工艺节点高60%。另外，N3E的良率比N3B高，传闻是N3的改良版，为部分客户开发使用，但目前缺乏相关资料。N3E和N3B都不是用来代替N3的，而是为了给客户在不同产品上更多的选择和更好的性能和功耗。