SK 海力士将展示更高速的 HBM3 内存

　　ISSCC 2022将于2月24日举行，众多厂商将选择在本次大会上展示最新的半导体制造技术。其中，SK海力士将推出其最新的HBM3显存技术，带宽为896 GB/s，GDDR6速率为27 Gbps。

　　SK海力士在HBM内存的研发上一直非常活跃。早在去年 6 月，它就展示了第一款HBM3内存，提供了 665 GB/s 的带宽。随后在去年10月，SK海力士宣布成功研发HBM3内存，成为全球首家研发新一代HBM内存的公司。

　　SK 海力士提供两种容量，一种是采用 12 层硅通孔技术垂直堆叠的 24GB，另一种是采用 8 层堆叠的 16GB。这些 HBM3 内存提供 819 GB/s 的带宽，与上一代 HBM2E 的 460 GB/s 相比，带宽增加了 78%。此外，HBM3内存还内置了片上纠错技术，提高了产品的可靠性。

　　SK海力士此次带来的HBM3内存依然采用12层直通硅通孔技术，最大容量24GB，但带宽提升至896GB/s，据说采用了自动校准和机器学习优化技术。目前尚不清楚 SK 海力士的这些 HBM3 存储器是处于原型阶段还是打算用于大规模生产。

　　此外，SK海力士还将展示速率为27 Gbps的GDDR6，它采用T型线圈电路结构来实现更高的传输速度，比三星最高的24 Gbps产品还要快。