尽管今年内存市场低迷,许多制造商遭受重大损失,但SK海力士敏锐地利用了服务器市场向DDR5内存的转变以及人工智能(AI)的蓬勃发展的机会。凭借有针对性的产品线和市场战略,SK海力士成功占领了重要的市场份额。作为英伟达的高带宽内存合作伙伴,SK海力士继续主导HBM市场,甚至实现了“赢家通吃”的局面。
最近,SK海力士在概述其2024年存储产品阵容时,确认明年开始下一代HBM4的开发工作,该产品旨在为数据中心和AI产品提供动力。三星和美光已经在今年第四季度宣布了HBM4的开发,计划分别在2025年和2026年发布。

HBM 产品经历了多代发展:HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)和 HBM3E(第五代),其中 HBM3E 是 HBM3 的扩展版本,HBM4 有望成为第六代。SK海力士表示,HBM3E计划于2024年量产,HBM4的启动标志着HBM产品持续发展的重要一步。
之前的报道表明,下一代 HBM4 设计发生了重大变化,包括内存堆栈转向 2048 位接口。自 2015 年以来,每个 HBM 堆栈都使用了 1024 位接口,因此位宽翻倍是自 HBM 内存技术引入以来最重大的变化。如果 HBM4 保持当前的引脚速度,带宽可能会从目前的 HBM1E 的 15.3TB/s 升级到 2.3TB/s,从而大幅增加。
有传言称,HBM4 的每个堆栈的层数也将有所不同,最初的 12 层垂直堆栈,然后在 16 年推出 2027 层垂直堆栈。此外,HBM 预计将朝着更多的定制化方向发展,不仅位于 SoC 主芯片旁边,而且还过渡到堆叠在 SoC 主芯片之上。
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